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J-GLOBAL ID：201802260424134399   整理番号：18A0220113

カチオン部分置換Cu2ZnSnS4の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research Progress of Partial Substitution of Cation in Cu2ZnSnS4

著者 (5件)： Gan Guoyou (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;云南省新材料制備与加工重点実験室,昆明650093) ,  Zou Pinghan (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;云南省新材料制備与加工重点実験室,昆明650093) ,  Chen Tao (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;云南省新材料制備与加工重点実験室,昆明650093) ,  Sun Shuhong (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;云南省新材料制備与加工重点実験室,昆明650093) ,  Zhu Yan (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;云南省新材料制備与加工重点実験室,昆明650093)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 31  号： 15  ページ： 10-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： P型半導体Cu2ZnSnS4(CZTS)は,最適な直接バンドギャップ(1.0~1.5eV)と高い光吸収係数(104cm-1以上)を有するため,豊富で無毒な元素からなる。これは商業化低コスト太陽電池の最も有望な候補材料の一つになる。しかし、材料自身のいくつかの欠陥はCZTS薄膜太陽電池の効率の向上を制約している。CZTS薄膜太陽電池の効率を向上させるために,著者らは,他のカチオン部分を用いて,Cu,ZnまたはSnを置換することによって,CZTSの欠陥を改善した。CZTSの3種類の異なる置換位置から出発し、近年の各種カチオン部分置換CZTSの研究進展を総括し、同時にカチオン部分置換CZTS材料の発展前景について展望した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スズ ,  P型半導体 ,  太陽電池 ,  *カチオン ,  商業化 ,  薄膜太陽電池 ,  ローコスト ,  直接バンドギャップ ,  *硫化ケステライト
準シソーラス用語： 吸光係数 ,  *CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： cation substitution ,  Cu2ZnSnS4 ,  CZTS solar cell

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： カチオン ,  部分置換 ,  Cu2ZnSnS4 ,  研究 ,  進展