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J-GLOBAL ID:201802260425160144   整理番号:18A0796018

ゲルマニウムの電子および核スパッタリング中の二次イオン形成【JST・京大機械翻訳】

Secondary ion formation during electronic and nuclear sputtering of germanium
著者 (7件):
資料名:
巻: 424  ページ: 1-9  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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重イオン研究用のGSI Helmholtzセンターに位置するUNILACビームラインに取り付けた飛行時間型質量分析計を用いて,放出された二次イオンとそれらの中性対応物の質量スペクトルを同時に記録することにより,5MeV/u Auのような高速重イオン(SHI)によるゲルマニウム表面からスパッタした二次イオンの形成を調べた。これらの実験において,スパッタされた中性材料はパルス化された強いVUVレーザからの単一光子吸収によってポストイオン化される。ポストイオン化後に,この装置は二次イオンとイオン化後の中性粒子を区別できないので,両信号は異なるスパッタ種のイオン化確率を調べるために直接比較することができる。典型的な核スパッタリング条件とのその場比較を容易にするために,5keVアルゴンイオンビームを供給する従来の希ガスイオン源を装備した。動的スパッタ清浄化表面に対して,電子スパッタリング条件下で放出されたGe原子とGe_nクラスタのイオン化確率は,keVスパッタ粒子に対して測定されたものより一桁以上高いことが分かった。加えて,SHI照射下で得られた質量スペクトルはGe_nO_mクラスタの顕著な信号を示し,それは主に正または負の二次イオンとして検出された。与えられたGe核に対するm分布から,スパッタされた材料は,おそらく,動的に清浄化された表面においてさえ残留する自然酸化物パッチにより,近似GeO化学量論をもつゲルマニウム酸化物マトリックスから生じることを推論することができる。結果は,両方の場合における放出とイオン化機構の間の基本的な違いを明確に示し,それは対応するモデル計算によって解釈される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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