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J-GLOBAL ID：201802260512881852   整理番号：18A2026628

超低電力複合自由層スピン-軌道トルクMRAM【JST・京大機械翻訳】

Ultra Low Power Composite Free Layer Spin-Orbit Torque MRAM

著者 (3件)： Hsu W. (Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, United States) ,  Bell R. (Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, United States) ,  Victora R. H. (Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： INTERMAG  ページ： 1  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン転送トルクMRAM(ST-MRAM)は次世代メモリの有望な候補として機能する。しかし,ST-MRAMは,急速な操作と貧弱なスピン分極の下で,トンネル障壁劣化を被っている。対照的に,スピン-軌道トルクMRAM(SOT-MRAM)は,Rashba効果とスピンHall効果(SHE~12)のような機構を介して,重金属(HM)と強磁性(FM)層の界面におけるスピン-軌道相互作用を利用する。電流のみがSOT-MRAMにおける重金属を通して流れるので,素子性能は絶縁破壊によってもはや制限されない。SOTデバイスにおいてFM層を通る電荷電流は必要でないので,SOTの他の認識されていない利点は低減衰磁気絶縁体(MI)との互換性である。YIG/Pt,YIG/Ta,およびYIG/WによるSOT実験は,SOTシステム~34におけるYIGの超低減衰スイッチングの可能性を実証した。SOTスイッチングもTMIGベースのシステム~5で実証された。ここでは,複合自由層SOT-MRAM(図1a)を提案した。MTJは直径Dの円筒構造である。自由層は容易にスイッチされたYIG層と熱的に安定な高異方性(K_u-10~7ergs/cc)L1_0-FePtまたはL1_0-FePd層から成る。これらの2つの層は,Pd層によって提供されるRKKY交換を通して強磁性的に結合される。磁気ソフト層とハード層間の交換結合が臨界電流~6を低減できることを示した。現在のCoFeBベースのデバイスは,低い異方性のためにより大きな直径を必要とする。FePtまたはFePdを採用することにより,素子面積を低減することができ,高密度応用に適している。マクロスピン近似におけるマイクロ磁気シミュレーションを実行することにより,この素子を最適化した。低い書込みエネルギー(E_w<1fJ)を有する小直径(D<30nm)の装置を,室温での熱安定性△=60k_BTを維持しながら,1nsのスイッチングのために達成することができた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  熱安定性 ,  *トルク ,  高速度 ,  近似法 ,  重金属 ,  界面 ,  磁気 ,  スイッチング ,  強磁性 ,  パラジウム ,  鉄 ,  最適化 ,  電荷 ,  記憶装置

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  自由層 ,  スピン-軌道トルク ,  MRAM