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J-GLOBAL ID:201802260524170026   整理番号:18A0335949

空格子点ドープの磁性と磁気結晶異方性と(非)金属吸着した単層PtSe_2【Powered by NICT】

Magnetism and magnetocrystalline anisotropy in vacancy doped and (non)metal adsorbed single-layer PtSe2
著者 (5件):
資料名:
巻: 129  ページ: 171-177  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0443A  ISSN: 0927-0256  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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単層(1L)遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)が過去数年にわたって大きな注目を集めている。しかし,以前の研究の大部分はMo(W)TMDに焦点を当て,元の1L TMDはしばしば反磁性。最近の実験上の進歩をPt(Pd)TMDにおける新たな関心を呼んでいる。ここでは,第一原理計算を用いて,吸着原子吸着および空格子点欠陥生成を通じて新しく合成された1L PtSe_2の官能化を研究した。Pt空格子点(V_Pt)と1L PtSe_2は大きな結晶磁気異方性エネルギー(30.4meV/V_Pt),これはIrCo二量体吸着グラフェンのそれに匹敵しているが分かった。磁気Fe(Co)吸着原子により誘起された磁性を除いて,金属を含まない磁性はB(F)吸着原子により導入される,1L PtSe_2は1L MoS_2(1L MoSe_2)のそれよりも非金属原子(H, B, C, N, F)への強い吸着能力を示した。1L MoS_2(1L MoSe_2)の場合と対照的に,表面の顕著な再構成は,H,B,C,N吸着1L PtSe_2を見出した。さらに,半導体挙動とスピントロニクス特性を修正し:Fe(N)吸着原子はn(p)型ドーピングを引き起こし,F吸着1L PtSe_2はバイポーラ半導体になった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属結晶の磁性  ,  金属結晶の電子構造  ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果 

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