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J-GLOBAL ID:201802260590458888   整理番号:18A0840528

シリコンとマグネシウムの共ドーピングによる非晶質アルミナ薄膜の著しく増強されたエネルギー密度【JST・京大機械翻訳】

Significantly enhanced energy density of amorphous alumina thin films via silicon and magnesium co-doping
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号: 10  ページ: 11160-11165  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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非晶質Al_2O_3薄膜の誘電特性を改善するために,異なるSi-Mg共ドーピング量を調べた。DSC,FT-IRおよびXPSスペクトルの解析によると,ガラスネットワークの新しい構造が共ドープAl_2O_3薄膜に形成されることを確認できた。さらに重要なことに,Al_2O_3薄膜と比較して,(Al_.97Si_.02Mg_.01)_2O_y薄膜の漏れ電流は2桁減少し,破壊強度は276MV/mから544MV/mに改善された。修飾試料の対応するエネルギー密度は9.2J/cm3に達し,それは非ドープAl_2O_3薄膜のそれより6.2J/cm3の増強であった。有限要素解析に基づいて,シミュレーション結果は,適用した電場が主にガラスネットワークに焦点を合わせて,それがAl_2O_3構造の安定性を強化して,膜の破壊確率を減少させることができることを示した。欠陥化学の観点から,誘電特性の増強のもう一つの理由は,Si-Mg共ドーピングがカチオン空孔の生成をもたらし,その結果,酸素空格子点の形成を効果的に防止できるということである。本研究は,高性能誘電体キャパシタ素子のための新しい設計戦略を提供することができた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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ガラスの性質・分析・試験  ,  セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 

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