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J-GLOBAL ID：201802260595326154   整理番号：18A0937490

UV照射グラフェンベース電界効果トランジスタの構造欠陥制御酸化【JST・京大機械翻訳】

Structural defects controlled oxidation of UV irradiated graphene-based field effect transistors

著者 (3件)： Iqbal Muhammad Zahir (Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi 23640, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan) ,  Siddique Salma (Institute of Industrial Biotechnology, GC University Lahore, Lahore 54000, Pakistan) ,  Rehman Adil (Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi 23640, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 85  ページ： 112-116  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 独特のバンド構造を劣化させることなく,ドーピングによるグラフェンのFermi準位の制御された調整は,それを低次元ベースの集積素子の魅力的な候補にする。石英管内に閉じ込められたグラフェン系電界効果トランジスタ(FET)に対するUV照射の比較解析を実証した。Raman分光法は,UV照射グラフェン系FETにおけるp型ドーピングを明らかにした。しかし,石英管に閉じ込められていないグラフェン上のUV照射中のRamanスペクトルにおける付加的なDピークの出現は,グラフェンの完全結晶構造の劣化を意味する。これらの結果はX線光電子分光法と電気輸送測定によりさらに確証された。正のゲート電圧へのDirac点のシフトは,UV照射グラフェン系FETにおけるp型ドーピングを明らかにした。しかし,石英管に閉じ込められていないグラフェン素子の移動度は減少し,石英管に封入された試料はその移動度を著しく保持した。これらの結果は,グラフェンにおける自然構造欠陥の形成を明らかにし,グラフェンベースの電子およびオプトエレクトロニクスデバイスの実用的な可視化のための不可欠な因子である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  Ramanスペクトル ,  *FET【トランジスタ】 ,  *紫外線照射 ,  Raman分光法 ,  ドーピング ,  Fermi準位 ,  バンド構造 ,  エレクトロトランスポート ,  移動度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Dirac点 ,  p型ドーピング ,  石英管 ,  *構造欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  UV照射 ,  石英管 ,  Dirac点

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： UV照射 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  構造欠陥 ,  酸化