文献

J-GLOBAL ID：201802260993423223   整理番号：18A1259572

電荷制御メムリスタの記憶グリッドによる迷路解決【JST・京大機械翻訳】

Maze-solving with a memristive grid of charge-controlled memristors

著者 (2件)： Sarmiento-Reyes Arturo (INAOE, Electronics Department, P.O. Box 51, 72000, Puebla, Pue., Mexico) ,  Rodriguez-Velasquez Yojanes (INAOE, Electronics Department, P.O. Box 51, 72000, Puebla, Pue., Mexico)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： LASCAS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,様々な応用分野において,新しいアナログプロセッサとしてメムリスティブグリッドが使用されている。本論文では,最大解応用のためのメムリスティブグリッドを紹介した。メムリスタのための特別に適した完全記号電荷制御モデルを開発した。このモデルがVerilog-Aモジュールで再キャストされたという事実により,電気シミュレーションを用いた。構成グリッドは,単一および複数の解を用いてマズを扱うことができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電荷 ,  モデル ,  シミュレーション
準シソーラス用語： Verilog ,  制御モデル ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷 ,  メムリスタ ,  グリッド ,  迷路