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J-GLOBAL ID:201802261107647452   整理番号:18A0933911

一次元低速光構造を用いた窒化ケイ素導波路におけるKerr非線形性増強の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Kerr nonlinearity enhancement in silicon nitride waveguides using one-dimensional slow light structure
著者 (2件):
資料名:
巻: 421  ページ: 25-29  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0678B  ISSN: 0030-4018  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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バンド端における導波路の群屈折率を増加させることによりKerr非線形性を増強するために,波形ベースの低速光窒化けい素導波路を数値的に研究した。構造はCMOS互換プラットフォームに存在する限界を考慮して最適化した。構造の帯域幅限界を種々の減速因子に対して異なる波長で調べた。構造の有限サイズ実現を,伝達行列法を用いて研究し,バンド端における所望の伝達と群速度を得た。低速光効果に対応する光学損失をモデル化し,非線形位相シフト飽和に対する遅い光損失により課せられる限界を考察した。3の減速因子を用いることにより,非線形位相シフトが5倍改善されることを示した。また,直線導波路と比較して,より短い波形導波路(9倍まで)は,同じ蓄積非線形位相シフトを与えることができた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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非線形光学 

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