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J-GLOBAL ID：201802261220110049   整理番号：18A0166575

4.5kV40SiCスーパーカスコード素子の特性化と評価【Powered by NICT】

Characterization and evaluation of 4.5 kV 40 A SiC super-cascode device

著者 (7件)： Hu Boxue (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA) ,  Wei Zhuo (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA) ,  Li He (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA) ,  Lyu Xingtong (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA) ,  Xing Diang (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA) ,  Na Risha (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA) ,  Wang Jin (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, 43210, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WiPDA  ページ： 321-326  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スーパーカスコード構造を持つ炭化けい素(SiC)パワーデバイスは高性能中電圧電力スイッチのためのコスト効率の良い解決策を提供する。しかし,これらSiCスーパーカスコード素子はまだ初期開発段階で,デバイス特性に関する情報は限られている。本論文では,直列接続五~1.2kV SiC通常オンJFETと百二十Vシリコン(Si)MOSFETからなる4.5kV,40SiCスーパーカスコード素子のキャラクタリゼーションと評価を示した。種々の試験条件でデバイス上に構築した広範な静的および動的特性化試験。,漏れ電流,ゲートしきい値電圧,I-V特性,C-V特性を含むデバイス静的特性を,いろいろな温度で記録した。素子動的評価は,誘導性負荷を持つ二重パルス試験(DPT)回路を用いて行った。DPT dcバス電圧は3kVまでであり,負荷電流が5Aから40Aまで変化させた。種々の負荷電流でのデバイススイッチング速度とスイッチングエネルギー損失を測定した。デバイス試験結果は,中および高電圧応用の可能性を示す。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 静特性 ,  スイッチング ,  直列接続 ,  電力 ,  電流電圧特性 ,  スイッチ ,  炭化ケイ素 ,  電圧 ,  接合形FET ,  漏れ電流 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  負荷電流 ,  閾値電圧 ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： カスコード ,  特性化 ,  評価