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J-GLOBAL ID:201802261517346199   整理番号:18A0521661

フローティングボディSOI MOSFETのモデル化のための強化されたルックアップテーブルアプローチ【Powered by NICT】

Enhanced Look-Up Table Approach for Modeling of Floating Body SOI MOSFET
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: iNIS  ページ: 163-168  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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ルックアップテーブル(LUT)アプローチは,回路シミュレーションを目的とした技術開発の初期段階におけるモデリング半導体デバイスのための有効なツールである。本論文では,従来のLUTアプローチはSOI回路のための重大な誤差をもたらすことを示した。この不一致の原因を説明した。SOIデバイスを正確に処理するため,補助回路は,従来のLUTモデルに追加を提案する改良されたLUTアプローチ。新しいアプローチは,CMOSインバータとSRAMセルのような種々の回路で検証した。従来のLUTモデルにおける27%の誤差に比較して,提案したモデルは3%の誤差で精度の大幅な改善を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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