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J-GLOBAL ID：201802261574810123   整理番号：18A1035169

低抵抗と垂直磁気異方性を持つ磁気トンネル接合のための磁気スイッチング磁場の電圧制御【JST・京大機械翻訳】

Voltage control of a magnetic switching field for magnetic tunnel junctions with low resistance and perpendicular magnetic anisotropy

著者 (8件)： Tezuka N. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Oikawa S. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Matsuura M. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Sugimoto S. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Nishimura K. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan) ,  Irisawa T. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan) ,  Nagamine Y. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan) ,  Tsunekawa K. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 5  ページ： 055922-055922-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低および高抵抗面積(RA)生成物を有する垂直磁気トンネル接合(p-MTJ)および合成反強磁性自由およびピン止め層に対する磁気異方性磁場の電圧制御を調べた。低いRA生成物を有する試料は,高いRA生成物を有する試料よりも印加バイアス電圧に敏感であることが分かった。バイアス電圧効果は,単一の自由およびピン止め層を有するMTJと比較して,高いRA生成物に対して合成反強磁性層を有する著者らの試料に対して顕著ではなかった。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピン止め ,  *電圧制御 ,  反強磁性 ,  *垂直磁気異方性 ,  *磁気異方性 ,  *磁場 ,  印加電圧 ,  *磁気スイッチング ,  *磁気トンネル接合
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低抵抗 ,  垂直磁気異方性 ,  磁気トンネル接合 ,  磁気 ,  スイッチング磁場 ,  電圧制御