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J-GLOBAL ID：201802261722597379   整理番号：18A1709072

Au@CdSeヘテロエピタキシャルナノロッド:強い光誘起界面電荷移動効果を持つ半導体シェルにより完全に被覆された金属ナノロッドの例【JST・京大機械翻訳】

Au@CdSe heteroepitaxial nanorods: An example of metal nanorods fully covered by a semiconductor shell with strong photo-induced interfacial charge transfer effects

著者 (9件)： Lim Suh-Ciuan (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC) ,  Lo Wen-Fu (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC) ,  Yang Po-Yuan (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC) ,  Lu Shu-Chen (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC) ,  Joplin Anneli (Department of Chemistry, Rice University, 6100 Main Street, Houston, TX 77005, United States) ,  Link Stephan (Department of Chemistry, Rice University, 6100 Main Street, Houston, TX 77005, United States) ,  Chang Wei-Shun (Department of Chemistry, Rice University, 6100 Main Street, Houston, TX 77005, United States) ,  Chang Wei-Shun (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Massachusetts Dartmouth, 285 Old Westport Rd, North Dartmouth, Massachusetts 02747, United States) ,  Tuan Hsing-Yu (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 532  ページ： 143-152  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体シェルで完全に覆われた金属@半導体ヘテロエピタキシャルナノロッドの合成は,二つの成分間の大きな格子不整合のために困難なままである。ここでは,カチオン交換プロセスにより完全なCdSeシェルの形成に有利な中間層としてAg_2Seの予備成長を用いることにより,Au@CdSeヘテロエピタキシャルナノロッドを調製した。これらのハイブリッドナノ構造の光学的性質は,シェルの厚さを厚いシェルで変えることにより調整でき,縦表面プラズモン共鳴の赤方偏移をもたらす。縦表面プラズモン共鳴の共鳴エネルギー,強度及び線幅を単一粒子暗視野散乱分光法により測定し,AuナノロッドからCdSeシェルへの顕著な電子移動を確認した。さらに,UV照射下でのメチレンブルーの光触媒反応におけるシェルの厚さに対する触媒反応性の依存性も調べた。これらの研究は,より薄いシェル厚さがより高い光触媒活性をもたらすことを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 紫外線照射 ,  電子移動 ,  光学的性質 ,  *ナノロッド ,  光触媒反応 ,  *エピタクシー ,  *半導体 ,  赤方偏移 ,  格子不整合 ,  *セレン化カドミウム ,  散乱 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族アミン ,  スルホニウム ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： 暗視野 ,  単一粒子 ,  中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 金属@半導体 ,  ヘテロエピタキシャルナノロッド ,  カチオン交換プロセス ,  表面プラズモン共鳴 ,  単一粒子暗視野散乱 ,  光触媒活性

分類 (1件)： コロイド化学一般  (CB11010C)

物質索引 (1件)： メチレンブルー

タイトルに関連する用語 (4件)： 光誘起 ,  界面電荷 ,  シェル ,  ナノロッド