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J-GLOBAL ID：201802261802497003   整理番号：18A0489064

強化された光触媒と電気化学的水素発生のためのZスキームにおける0d(MoS_2)/2D(g C_3N_4)ヘテロ接合【Powered by NICT】

0D (MoS₂)/2D (g-C₃N₄) heterojunctions in Z-scheme for enhanced photocatalytic and electrochemical hydrogen evolution

著者 (10件)： Liu Yazi (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia) ,  Zhang Huayang (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia) ,  Ke Jun (School of Chemistry and Environmental Engineering, Wuhan Institute of Technology, Wuhan, 430073, China) ,  Zhang Jinqiang (School of Engineering, Edith Cowan University, Joondalup, WA, 6027, Australia) ,  Tian Wenjie (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia) ,  Xu Xinyuan (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia) ,  Duan Xiaoguang (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia) ,  Sun Hongqi (School of Engineering, Edith Cowan University, Joondalup, WA, 6027, Australia) ,  O Tade Moses (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia) ,  Wang Shaobin (Department of Chemical Engineering, Curtin University, GPO Box U1987, Perth, WA, 6845, Australia)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 228  ページ： 64-74  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水中の高く安定した分散をもつMoS_2量子ドット(MSQD)を,容易なワンポット水熱法により調製した。MSQDを修飾g C_3N_4光触媒(MSQD CN)を得るために黒鉛状窒化炭素(g C_3N_4,CN)ナノシートを修飾に適用した。元g C_3N_4に比較して,ハイブリッド光触媒は水分解で顕著に改善された光触媒活性を有するわずかな赤方偏移と強い光吸収を示した水素を生成した。0.2wt%MSQD CN上の水素発生率は0.2wt%Pt-CNとg C_3N_4のそれと同じくらい高い1.3と8.1倍に増加した。共触媒として2wt%のPt堆積により,5wt%MSQD CNは577μH~( 1)g~( 1)の平均水素発生反応(HER)速度をもつ最高の光触媒効率を示した。光ルミネセンススペクトル(PL)と光電気化学測定はMSQD導入は電荷キャリアのより効率的な分離,HER過電圧障壁を低下させ,電気伝導率を高めることができ,電子移動を促進する劇的に推定した。さらに,p-nヘテロ接合の密接な接触界面を持つMSQD CNハイブリッドの良く整合バンド電位は光生成キャリアの再結合を阻害し,強化された光触媒HER性能をもたらした。MSQD CNハイブリッドの直接Z-スキーム電荷移動機構はMSQD,Ptとg C_3N_4間の相乗効果をさらに提案した。本研究では,ヘテロ接合界面の重要性を強調し,種々の光触媒応用のためのg-C3N4系光触媒の合理的な構築のための実行可能なプロトコルを提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *水素 ,  相乗作用 ,  グラファイト ,  電気伝導率 ,  白金 ,  水素発生反応 ,  *光触媒 ,  量子ドット ,  *ヘテロ接合 ,  光電気化学
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  水分解 ,  窒化炭素 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS_2量子ドット ,  Z枠組み ,  展望 ,  水素発生反応(HER) ,  g C_3N_4

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強化 ,  光触媒 ,  電気化学 ,  水素発生 ,  スキーム ,  2D ,  ヘテロ接合