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J-GLOBAL ID：201802262131776007   整理番号：18A1258598

OTSセレクタデバイス:スイッチング性能のための材料工学【JST・京大機械翻訳】

OTS selector devices: Material engineering for switching performance

著者 (9件)： Cyrille M. C. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Verdy A. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Navarro G. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bourgeois G. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Garrione J. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bernard M. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Sabbione C. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Noe P. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Nowak E. (CEA - LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICICDT  ページ： 113-116  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Ge_2Sb_2Te_5ベースの相変化メモリ(PCM)デバイスとの共集積化のためのGe-SeベースのOvonic Thresholdスイッチ選択器(OTS)の開発について述べた。Ge_58Se_42における高いサブ閾値非線形性は,OTS+PCMセルにおける10~9の非スイッチング読み取り動作を可能にした。SeリッチGe-SeのSbとNドーピングを,OTSスイッチング性能を改善する方法として研究した。材料工学により,10~8のオン/オフ電流比と10~6サイクルまでの耐久性を実証した。薄い界面炭素層の導入により,OTS層の電極から金属種の拡散を制限することにより,耐久性をさらに改善できる(10~9サイクルまで)。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 耐久性 ,  界面 ,  *スイッチ ,  接続品質 ,  電流 ,  ドーピング ,  選別器 ,  アンチモン ,  非線形性 ,  *スイッチング ,  *材料科学
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： OTS ,  セレクタ ,  スイッチング性能 ,  材料工学