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J-GLOBAL ID：201802262173960274   整理番号：18A0969038

MOS_2(1-x)Se_2x合金(x=0.25)の構造と電子特性のDFT研究【JST・京大機械翻訳】

DFT study of structural and electronic properties of MoS_2(1-x)Se_2x alloy (x = 0.25)

著者 (3件)： Gusakova Julia (Novitas Center, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore, Singapore) ,  Gusakov Vasilii (Scientific-Practical Materials Research Center, NAS of Belarus, 19 P. Brovki, 220072 Minsk, Belarus) ,  Tay Beng Kang (Novitas Center, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore, Singapore)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 16  ページ： 161594-161594-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を行い,単層MoS_2(1-x)Se_2x(x=0.25)合金の構造的特徴とその電子的性質を研究した。実際の単層合金中のSe原子の相対位置の影響を調べた。上部と底部のカルコゲン面間のSe原子の分布が最もエネルギー的に有利であることを実証した。Se原子のより可能性のある分布に対して,MoS_2(1-x)Se_2x(x=0.25)単分子層合金は,2.35eVに等しい基本バンドギャップ(GVJ-2e法で計算)を有する直接半導体である。77K(1.86eV)と室温(1.80eV)における合金の光学バンドギャップも評価し,実験的に測定した1.79eVのバンドギャップと良く一致した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造特性 ,  単分子層 ,  *合金 ,  酸素族元素 ,  *セレン ,  光学ギャップ ,  単一層 ,  計算 ,  半導体 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 相対位置 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  電子 ,  DFT ,  研究