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J-GLOBAL ID:201802262196740594   整理番号:18A1145995

マイクロピラー空洞に及ぼす表面粗さの影響【JST・京大機械翻訳】

Surface roughness effect on micropillar cavities
著者 (7件):
資料名:
巻: 2017  号: ICAIT  ページ: 30-34  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オプトエレクトロニクスや量子情報処理のような多くの分野で応用されているマイクロピラー空洞は,より小さく,より小さいスケールになっている。ピラーがサブミクロンサイズに収縮すると,不完全な製造プロセスにより誘起される表面粗さは,空洞モードのエッジ散乱のために,このような空洞の品質に劇的に影響する。ここでは,有限差分時間領域法を用いてこの効果を調べた。分布Bragg反射器から成るマイクロピラー共振器に対して,表面粗さをディスク形状層を数個のランダム多角形層に分割することによりモデル化した。一つの例は,1.55μm量子ドット単一光子源の有望な候補であるInGaAsP/InP-空気開口マイクロピラー共振器に関する研究である。このような共振器では,短波長に対して,Q因子と出力効率の両方が表面粗さの増加とともに減少することを示した。ここでは,半径の相対値として表面粗さを定義した。InP層に対して0.01,~1.3nm,InGaAsP層に対して~4.7nmの表面粗さで,Q因子は粗さのないものの90%に近く,良好な品質を有するマイクロピラー空洞を作るためには,作製プロセスがナノメートルレベルで制御精度を満足することを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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半導体レーザ  ,  光源  ,  量子光学一般  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (3件):
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