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J-GLOBAL ID：201802262216670602   整理番号：18A0132751

化学蒸着成長させたグラフェンWS_2ヘテロ接合に基づくFETの紫外光駆動強化された光応答【Powered by NICT】

Ultraviolet-light-driven enhanced photoresponse of chemical-vapor-deposition grown graphene-WS₂ heterojunction based FETs

著者 (4件)： Siddique Salma (Institute of Industrial Biotechnology, GC University Lahore, Lahore 54000, Pakistan) ,  Iqbal Muhammad Zahir (Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi 23640, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan) ,  Iqbal Muhammad Waqas (Department of Physics, Riphah Institute of Computing and Applied Sciences (RICAS), Riphah International University, Lahore, Pakistan) ,  Khan Sana (Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi 23640, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 257  ページ： 263-269  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンおよび遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC),優れた電気的および光学的性質を示す二次元(2D)材料の新しいクラスは,オプトエレクトロニクスと電子技術の驚異的な進歩を示した。しかし,二次元van der Waalsヘテロ構造は,通常の2Dデバイス上での付加的な機能性のために大きな関心を集めている。ここでは,時間の関数として異なるバックゲート(V_g)とドレイン-ソース電圧(V_ds)でのグラフェンWS_2ヘテロ構造の光伝導応答を示し,UV照射下で。V_dsは 0.3Vから 1Vに変化すると光電流特性の増加が観察された。光感受性の応答は,バックゲート電圧を変化させて調整した。グラフェンWS_2フォトトランジスタの光学的性能は,光応答性(R_λ),検出能(D~*),外部量子効率(EQE)と線形ダイナミックレンジ(LDR)を調べることによって評価した。これらの結果は,TMDCグラフェンヘテロ構造,光センシングとオプトエレクトロニクス応用に使用される優れた競争者を示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電流 ,  二次元 ,  電圧 ,  *紫外線 ,  *化学蒸着 ,  オプトエレクトロニクス ,  光学的性質 ,  ダイナミックレンジ ,  光伝導 ,  *グラフェン ,  *ヘテロ接合 ,  フォトトランジスタ
準シソーラス用語： バックゲート ,  ヘテロ構造 ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電界効果トランジスタ ,  UVセンサ ,  光応答性 ,  Detectivity ,  外部量子効率

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学蒸着 ,  成長 ,  グラフェン ,  ヘテロ接合 ,  FET ,  紫外光 ,  強化 ,  光応答