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J-GLOBAL ID：201802262236521422   整理番号：18A1905204

前真空圧力における電子ビームにより照射された誘電体表面上の電位分布【JST・京大機械翻訳】

Potential Distribution Over A Dielectric Surface Irradiated By An Electron Beam At Forevacuum Pressures *

著者 (4件)： Yushkov Yury G. (40 Lenina Prospect, Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, 634050, Russia) ,  Zolotukhin Denis B. (SB RAS, 2/3 Academichesky Ave., High Current Electronics Institute, Tomsk, 634055, Russia) ,  Tyunkov Andrey V. (40 Lenina Prospect, Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, 634050, Russia) ,  Oks Efim M. (SB RAS, 2/3 Academichesky Ave., High Current Electronics Institute, Tomsk, 634055, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICOPS  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶性ホウ素の電子ビーム蒸着はホウ素含有被覆の新しい堆積法である。この方法における問題は,電子ビーム加熱(0.1Pa未満)の典型的な圧力において,通常の状態の誘電体であるホウ素ターゲットの表面は電子ビームによって帯電し,ビーム電子を偏向させて反射し,ターゲットの加熱と蒸発の効率を低下させる。この問題は,ターゲット表面に電子ビームによってもたらされる負電荷がビームプラズマ~1からの正のガスイオンによって補償される前真空値(1~100PA)に対する圧力を増加させることによって解決される。ここでは,非導電性ホウ素ターゲットの表面が電子ビーム2により帯電され,ターゲット表面上での分布に対するポテンシャルに関する研究データを示した。特に,円形断面の電子ビームによって照射されたホウ素とAl_2O_3セラミックの表面上のポテンシャルの半径方向分布に関する測定データを提示した。著者らの実験は,ポテンシャル分布がビームエネルギー,気体圧力,およびターゲットに対する電子電流密度に強く依存することを実証した。ポテンシャル分布の原因となる物理的特徴と過程を論じた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  負電荷 ,  *電子ビーム ,  被覆 ,  結晶度 ,  *誘電体 ,  電子ビーム蒸着 ,  電流密度 ,  ホウ素 ,  半径方向 ,  *電位分布 ,  円形断面
準シソーラス用語： ガス圧 ,  ポテンシャル分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空圧 ,  電子ビーム ,  体表面 ,  電位分布