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J-GLOBAL ID：201802262537014222   整理番号：18A0933854

アナログ周波数逓倍器としての単一電子トランジスタの解析とシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Analysis and simulation of Single Electron Transistor as an analogue frequency doubler

著者 (3件)： Eskandarian A. (Department of Electrical Engineering, Rasht Branch, Islamic Azad University, P.O. Box 41335-3516, Rasht, Gilan, Islamic Republic of Iran) ,  Rajeyan Z. (Department of Electrical Engineering, Rasht Branch, Islamic Azad University, P.O. Box 41335-3516, Rasht, Gilan, Islamic Republic of Iran) ,  Ebrahimnezhad H. (Department of Electrical Engineering, Rasht Branch, Islamic Azad University, P.O. Box 41335-3516, Rasht, Gilan, Islamic Republic of Iran)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 75  ページ： 52-60  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アナログ周波数逓倍器としての単一電子トランジスタの性能を解析とHSPICEシミュレーションにより評価した。最初に,デバイス特性を適切に表現するマクロモデルを選択した。モデルパラメータは,それらのDC特性に基づいて,文献で報告された異なるデバイスに対して決定される。デバイスモデルに端末容量を加えて,トランジスタの小信号AC性能をシミュレーションした。選択した素子はGHz周波数まで動作できることを観測した。次に,選択したモデルに基づいて,抵抗荷重を持つ一般的なソースダブラの動作の大信号理論を開発した。HSPICEによる抵抗とトランジスタ負荷回路のシミュレーションも示した。シミュレーション結果と閉形式解析式の間には良い一致がある。素子解析とシミュレーションにより,この素子が動作のCoulombブロッケード領域におけるダブラとして使用できることを示した。-13dBの変換利得(損失)と12%の高調波歪が期待できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固体素子モデル ,  *シミュレーション ,  *トランジスタ ,  信号理論 ,  Coulombブロッケード ,  *アナログ系 ,  *倍周器 ,  *周波数 ,  *単一電子トランジスタ ,  高調波歪
準シソーラス用語： 変換利得 ,  閉形式 ,  モデルパラメータ ,  マクロモデル ,  HSPICE , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： doubler ,  アナログ ,  シミュレーション ,  単一電子トランジスタ(SET) ,  マクロモデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： アナログ ,  周波数逓倍器 ,  単一電子トランジスタ ,  解析 ,  シミュレーション