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J-GLOBAL ID：201802262593108810   整理番号：18A1043323

低接触抵抗4端子MEMSリレー:理論解析,設計,実証【JST・京大機械翻訳】

A Low Contact Resistance 4-Terminal Mems Relay: Theoretical Analysis, Design, and Demonstration

著者 (5件)： Yoon Yong-Hoon (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Jin Yoonsoo (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Kim Chang-Keun (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Hong Songcheol (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Yoon Jun-Bo (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 27  号： 3  ページ： 497-505  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4端子マイクロ電気機械システム(MEMS)リレーは,3端子MEMSリレーと異なり,作動(ボディとゲート)と信号(ソースとドレイン)コンポーネントのデカップリングを可能にするため,信号スイッチング応用のために長く求められてきた。しかしながら,接触抵抗は,3端子MEMSリレーと比較して,現在の4端子MEMSリレーにおいて依然として重大な問題のままである。本論文では,理論解析を用いて,最初に,4端子MEMSリレーにおいて最も一般的な設計である2接触設計が,高い接触抵抗の起源であることを決定した。次に,新しい単一接触設計による4端子MEMSリレーを開発した。単一接触設計による作製した4端子MEMSリレーは,18mΩの接触抵抗を示した。著者らの知る限りでは,この結果は4端子MEMSリレーの中で最も低い値である。さらに,2接触が測定を用いた高い接触抵抗の起源であることを実証した。このリレーは空気中で1V/50mA,高温スイッチング条件で1.1×10~6サイクルまで動作した。最後に,提案した4端子MEMSリレーを,商用アプリケーションでの使用のために密閉的にパッケージした。[2017-0183]Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： デカップリング ,  スイッチング ,  *MEMS ,  *接触抵抗 ,  高温
準シソーラス用語： 機械システム ,  理論解析 ,  *継電器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 接触抵抗 ,  MEMS ,  リレー ,  理論解析 ,  設計 ,  実証