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J-GLOBAL ID：201802262701251440   整理番号：18A0721646

水素発生反応のためのAlCu@ZnOの新しい触媒【JST・京大機械翻訳】

A new catalyst of AlCu@ZnO for hydrogen evolution reaction

著者 (3件)： Huener Bulut (Osmaniye Korkut Ata University, Engineering Faculty, Energy Systems Engineering Faculty, Osmaniye, Turkey) ,  Farsak Murat (Osmaniye Korkut Ata University, Applied Science School of Kadirli, Food Technology, Osmaniye, Turkey) ,  Telli Esra (Osmaniye Korkut Ata University, Engineering Faculty, Energy Systems Engineering Faculty, Osmaniye, Turkey)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 43  号： 15  ページ： 7381-7387  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムスズ上に堆積したアンドープZnO,AlドープZnO,CuドープZnO,およびAlCu@ZnOの薄膜を,ゾル-ゲルスピンコーティング法によって実行した。作製したZnO薄膜を500°C,1時間のアニーリング後の構造的及び電気的性質について調べた。ZnO薄膜を電気化学インピーダンス分光法,線形掃引ボルタンメトリー,走査電子顕微鏡,Fourier変換赤外分光法およびMott Schottkyによって特性化した。ZnO薄膜のNyquistダイアグラムから得られた結果によると,抵抗値は二元ドーピングにより減少し,抵抗値は0.01M Alと0.1M Cuを含むAlCu@ZnOドープ薄膜で最低であることが分かった。ZnO薄膜が陰極電位になると,アンドープのZnOのカソード電流値は最低であることが分かった。AlとCuのドーピングのみが二重ドーピングよりカソード電流が少ないことが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  スペクトロスコピー ,  電流 ,  薄膜 ,  Nyquist線図 ,  *アルミニウム ,  スピンコーティング ,  走査電子顕微鏡 ,  *銅 ,  *水素発生反応 ,  FTIR分光法 ,  酸化インジウムスズ ,  *酸化亜鉛 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 線形掃引ボルタンメトリー ,  電気化学インピーダンス分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnO ,  ゾル-ゲル ,  アルミニウム ,  銅

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 水素発生反応 ,  触媒