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J-GLOBAL ID：201802262706807055   整理番号：18A0211133

シリコンナノ薄膜法による熱伝導度の分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Molecular dynamics simulation of out-of-plane thermal conductivity of doped silicon nanofilms

著者 (6件)： Chen Hui (東南大学机械工程学院,南京211189;江蘇海事職業技術学院船舶与海洋工程学院,南京211170) ,  Wei Zhiyong (東南大学机械工程学院,南京,211189) ,  Chen Weiyu (東南大学机械工程学院,南京,211189) ,  Liu Chenhan (東南大学机械工程学院,南京,211189) ,  Bi Kedong (東南大学机械工程学院,南京,211189) ,  Chen Yunfei (東南大学机械工程学院,南京,211189)
資料名： Dongnan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Dongnan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 47  号： 3  ページ： 490-494  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0606A  ISSN： 1001-0505  CODEN： DDXZB9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 非平衡状態分子動力学方法を用いて、平均温度が300Kの時に、膜厚が2.2~104.4nmのシリコンナノ薄膜及びゲルマニウムをドープしたシリコンナノ薄膜の法線方向熱伝導率を計算した。ランダムドーピングモードを用いて,ケイ素ナノ薄膜中にゲルマニウム原子をドープし,ドーピング濃度はそれぞれ5%と50%であった。シミュレーション結果によると、同じ厚さのGeドープシリコン薄膜の法線方向熱伝導率は純シリコン薄膜の法線方向熱伝導率よりはるかに小さく、ドーピング前後のシリコン薄膜の熱伝導率は膜厚の増大につれて増大した。フォノンの平均自由行程の累積関数を計算することにより,バルクシリコンの熱伝導率に対する主な寄与はフォノンの平均自由行程が2~2000nmのフォノンであり,ゲルマニウムをドープしたSiの熱伝導率は約80%のフォノン平均自由行程が0.1~30nmであることを示した。これは,純シリコン中の熱伝導率に対する主な寄与のフォノン平均自由行程よりもはるかに小さい。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 平均自由行程 ,  シミュレーション ,  非平衡状態 ,  ドーピング ,  *計算機シミュレーション ,  膜厚 ,  フォノン ,  *ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *分子動力学 ,  平均気温 ,  *熱伝導率 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： バルクシリコン ,  シリコン薄膜 ,  *分子動力学シミュレーション ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： silicon nanofilm ,  thermal conductivity ,  doping ,  molecular dynamics ,  phonon mean free path ,  thermal conductivity accumulation function

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ナノ薄膜 ,  熱伝導度 ,  分子動力学シミュレーション