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J-GLOBAL ID:201802262749416683   整理番号:18A0623842

1.2kVトレンチクラスタIGBTの三次元スケール則の数値解析【Powered by NICT】

Numerical Analysis of 3-D Scaling Rules on a 1.2-kV Trench Clustered IGBT
著者 (5件):
資料名:
巻: 65  号:ページ: 1440-1446  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1.2kVトレンチクラスタ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(TCIGBTs)のカソード細胞としきい値電圧のための三次元スケーリング則はSynopsys Sentaurus TCADツールで校正されたモデルを用いて調べた。スケーリングダウンは電流利得スケールトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(TIGBT)のそれよりも順方向電圧降下を低減する固有サイリスタ作用の増加をもたらす。同一のスイッチング損失のために,スケーリング因子でK=3,従来TCIGBT(k=1)と比較すると,順方向電圧降下は400Kで300Kと30%で20%減少した。最も重要なことは,等価TIGBTよりも低い伝導損失にもかかわらず,スケールTCIGBT構造はその短絡能力を維持し,n井戸とp井戸の領域に作用する付加的なスケーリング原理のために,自己クランプの特徴を維持することができる。TCIGBTはより効率的なチップのためのチップ,応用における省エネルギーのためのTIGBTの信頼性のある代替法である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  ダイオード 
タイトルに関連する用語 (5件):
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