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J-GLOBAL ID：201802262798690919   整理番号：18A0843921

VLS成長一次元GaドープIn_2O_3ナノ構造の導波挙動【JST・京大機械翻訳】

Waveguiding behavior of VLS-grown one-dimensional Ga-doped In₂O₃ nanostructures

著者 (4件)： Ramos Ramon Jesus Alberto (Instituto de Fisica, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, Puebla, Pue, 72570, Mexico) ,  Pal U. (Instituto de Fisica, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, Puebla, Pue, 72570, Mexico) ,  Maestre David (Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040, Madrid, Spain) ,  Cremades Ana (Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040, Madrid, Spain)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 18  号： 7  ページ： 785-792  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適度な温度での蒸気-液体-固体過程により,正方形状ファセット形態を有する高度に結晶性の無ドープおよびGaドープ酸化インジウムナノロッドを作製した。ナノ構造の成長速度,形態および結晶性に及ぼすGa取り込みの影響を,走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡およびX線回折によって評価した。1-D In_2O_3ナノ構造の欠陥構造と導波挙動を,マイクロRamanとマイクロ光ルミネセンス分光法を用いて研究した。ナノ構造の広い室温マイクロフォトルミネッセンススペクトル上に重畳したいくつかの共鳴モードの出現は,それらの導波挙動を実証した。20~150nm幅の元のまたは非ドープのIn_2O_3ナノ構造はFabry-Perot共鳴モードを示したが,20~100nm幅のGaを組み込んだナノ構造はそれらのより小さい幅のためにウィスパリングギャラリーモードを明らかにした。共振器のQ値(Q)は,元のおよびGaを組み込んだナノ構造に対して,それぞれ約20.86および188.79であると推定され,Gaの取り込みによる巨大な増強を示した。In_2O_3ナノロッドにおけるGa取り込みにおけるQ因子の増加は,新しい光送信機と共振器の開発,およびナノスコピックなレーザ発振デバイスの作製のための利用の可能性を開く。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶度 ,  ナノロッド ,  *ドーピング ,  形態 ,  *VLS成長 ,  酸化インジウム ,  *ガリウム ,  レーザ発振 ,  走査電子顕微鏡 ,  *ナノ構造 ,  Q値 ,  ファセット ,  X線回折 ,  共鳴
準シソーラス用語： 共振モード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： In_2O_3ナノロッド ,  GA導入 ,  導波挙動 ,  共鳴微小共振器

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： VLS成長 ,  Ga ,  ドープ ,  ナノ構造 ,  導波 ,  挙動