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J-GLOBAL ID：201802262841175581   整理番号：18A0481387

1.55μmフェムト秒レーザ励起下での強いテラヘルツ放射を用いたGaSb上のInAsのエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Epitaxial growth of p-InAs on GaSb with intense terahertz emission under 1.55-μm femtosecond laser excitation

著者 (14件)： Sadia Cyril P. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  Lopez Lorenzo P. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  Lopez Lorenzo P. (Materials Science and Engineering Program, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  delos Santos Ramon M. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  delos Santos Ramon M. (Ateneo De Manila University, Quezon City, The Philippines) ,  Muldera Joselito E. (De La Salle University, 2401 Taft Avenue, Manila 1004, The Philippines) ,  De Los Reyes Alexander E. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  Tumanguil Mae Agatha C. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  Que Christopher T. (De La Salle University, 2401 Taft Avenue, Manila 1004, The Philippines) ,  Mag-usara Valynn Katrine (Research Center for Development of Far-infrared Region, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Tani Masahiko (Research Center for Development of Far-infrared Region, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Somintac Armando S. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  Estacio Elmer S. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines) ,  Salvador Arnel A. (Condensed Matter Physics Laboratory, National Institute of Physics, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, The Philippines)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 648  ページ： 46-49  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.55μmフェムト秒レーザ励起THz放射効率との関連で評価し高品質InAs薄膜の分子ビームエピタクシー成長を報告した。p-InAsの存在は走査電子顕微鏡とX線回折により確認した。GaAsバッファ層を用いて,p-InAs層のエピタキシャル成長に成功した。成長中断によるGaAs堆積の開始,GaAs,GaSb基板に付着し,それに続く層のための準平面表面を与えることを見出した。も1.55μm波長のためのバルクp-InAsのそれに比べて約2倍であることをp-InAs膜のTHz放射強度の顕著な増強を見出した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  *テラヘルツ波 ,  X線回折 ,  *フェムト秒 ,  ヒ化ガリウム ,  走査電子顕微鏡 ,  *レーザ励起 ,  *フェムト秒レーザ ,  MBE成長 ,  バッファ層 ,  *アンチモン化ガリウム ,  波長
準シソーラス用語： *テラヘルツ放射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 分子ビームエピタクシー ,  III-V族半導体 ,  ひ化インジウム ,  テラヘルツ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： フェムト秒レーザ ,  励起 ,  テラヘルツ放射 ,  GaSb ,  InAs ,  エピタキシャル成長