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J-GLOBAL ID:201802262915523840   整理番号:18A1113064

W_18O_49ナノワイヤのSERS増強に向けた表面捕獲電子の占有【JST・京大機械翻訳】

Populating surface-trapped electrons towards SERS enhancement of W18O49 nanowires
著者 (6件):
資料名:
巻: 54  号: 49  ページ: 6332-6335  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0376B  ISSN: 1359-7345  CODEN: CHCOFS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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金属-半導体界面または有機-半導体配位の構築により証明されたように,表面トラップ電子のポピュレーションはナノ構造W_18O_49基板のSERS性能と密接な関係にあることが分かった。したがって,半導体のSERS性能の更なる改善は,表面トラップ電子の普及により期待できる。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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金属の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  有機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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