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J-GLOBAL ID：201802262924295339   整理番号：18A1028339

不均一集積III-V-on-Si太陽電池の性能に及ぼすバッファアーキテクチャの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of buffer architecture on the performance of heterogeneously integrated III-V-on-Si solar cells

著者 (3件)： Ghosh Aheli (Virginia Tech, Blacksburg, VA 24060) ,  Clavel Michael (Virginia Tech, Blacksburg, VA 24060) ,  Hudait Mantu (Virginia Tech, Blacksburg, VA 24060)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上に不均一に集積した1J GaAs太陽電池の性能に及ぼすバッファ構造の影響を実証した。厚い3μm GaAsバッファを持つセル構造と比較して,全エピタキシャル分子ビームエピタキシャル成長した薄い(<1μm)ハイブリッドGaAs/Ge「仮想」バッファアプローチは,Si上で約10%の1J GaAsセル効率を提供した。太陽電池の結果は,性能限界転位の低減のための明確な経路を提供するための材料解析によってさらに確証された。本研究におけるIII-V-on-Siセル構造に対する薄い「Ge-on-Si」仮想バッファアプローチは,モノリシック集積,低コスト,高効率III-V-オン-Si光起電力に対する有望な将来を示す。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MBE成長 ,  エピタクシー ,  *ケイ素 ,  *太陽電池 ,  光起電力 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 高効率 ,  ローコスト ,  モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不均一 ,  集積 ,  Si ,  太陽電池 ,  バッファ ,  アーキテクチャ