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J-GLOBAL ID：201802262936683165   整理番号：18A1210913

MoO_3バッファ層を有するペンタセン系薄膜トランジスタにおけるトンネル支援キャリア移動【JST・京大機械翻訳】

Tunneling-assisted carrier transfer in pentacene-based thin-film transistors with a MoO₃ buffer layer

著者 (2件)： Huang Chun-Yuan (Department of Applied Science, National Taitung University, Taitung 950, Taiwan) ,  Hsieh Yi-Hsiu (Department of Applied Science, National Taitung University, Taitung 950, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISNE  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PMMA誘電体層を有するペンタセン系OTFTの優れた電気的特性を,0.48cm~2/Vsの高い移動度,-11.5Vのしきい値電圧,および7.7の10~4のオン/オフ電流比を含むMoO_3バッファ層を挿入することによって得た。電気特性では,MoO_3バッファ層を持つ素子にトンネル効果が存在することを見出した。MoO3/ペンタセン界面に関するX線光電子分光結果から,界面におけるC1sコアレベルピークの結合エネルギーの1.3eVシフトに対して,キャリアトンネリング経路としての特定の化学反応の発生とその結果としての自己集合層の形成が確認された。自己集合層は注入からキャリアを妨げず,代わりにキャリアトンネリングを増強した。この現象を系統的に研究した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バッファ層 ,  X線光電子分光法 ,  化学反応 ,  界面 ,  トンネル効果 ,  誘電体 ,  自己集合 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  電流 ,  結合エネルギー ,  移動度 ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： バッファ層 ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  トンネル ,  支援 ,  キャリア移動