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J-GLOBAL ID:201802263023879323   整理番号:18A0942138

パルスサイクリング領域の下でのスピン移動トルク磁気メモリにおける破壊制限耐久性のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of Breakdown-Limited Endurance in Spin-Transfer Torque Magnetic Memory Under Pulsed Cycling Regime
著者 (9件):
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巻: 65  号:ページ: 2470-2478  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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垂直スピン移動トルク(p-ST)磁気メモリは,ストレージクラスメモリ,埋め込みメモリ,および静的/動的メモリの可能な置換の候補として関心を増している。これらのすべての応用は,拡張サイクル耐久性を必要とし,それは,p-ST装置における耐久性破壊機構の固体理解と正確なモデリングに基づくべきである。本論文では,パルス電気スイッチング下でのp-STメモリのサイクル耐久性について述べた。耐久性は磁気トンネル接合スタックの絶縁破壊により制限され,絶縁破壊をもたらす物理的機構により耐久寿命をモデル化することを示した。モデルは,印加電圧,パルス幅,パルス極性,および印加パルス間の遅延時間の関数として,ST耐久性を予測した。試料面積に対する耐久性の依存性を最終的に考察した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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