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J-GLOBAL ID：201802263035746962   整理番号：18A1612361

CsPbBr_3-2D結晶van der Waalsヘテロ接合による高性能低電圧駆動フォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Low-Voltage-Driven Phototransistors through CsPbBr₃-2D Crystal van der Waals Heterojunctions

著者 (5件)： Huo Chengxue (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Liu Xuhai (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Wang Ziming (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Song Xiufeng (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zeng Haibo (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 6  号： 16  ページ： e1800152  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合を形成するためにハロゲン化物ペロブスカイトと2D材料を組み合わせることは,高性能フォトトランジスタを設計するための潜在的な優れた戦略である。しかし,標準的なペロブスカイト/2D材料ヘテロ接合は,通常,活性材料のどちらかがトランジスタプラットフォームの反対の金属電極を横切って直接ブリッジするので,完全には実現されない。ここでは,光トランジスタを,高品質van der Waals成長CsPbBr_3とMoS_2に基づいて作製した。その中で,CsPbBr_3とMoS_2はトランジスタチャネル内でのみ重なっている。この標準CsPbBr_3/MoS_2ヘテロ接合に基づくフォトトランジスタは,0.5Vの小さいドレイン-ソース電圧で優れた光検出能力と電界効果特性を示した。フォトトランジスタの立上り時間と降下時間はそれぞれ2.5と1.8msである。正孔移動度は暗所で0.08cm~2V~-1s-1,442nmレーザ照射下で0.28cm~2V~-1s-1と計算された。全ての測定を室温で行い,CsPbBr_3/MoS_2ヘテロ接合の優れたロバスト性を示した。本研究は,低電圧駆動,空気安定ペロブスカイト/2D材料ヘテロ接合を用いることにより,デバイスサイズを最小化する新しい戦略を提供した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  レーザ照射 ,  *二次元 ,  光検出 ,  ハロゲン化物 ,  ロバスト性 ,  *フォトトランジスタ ,  *結晶 ,  *ヘテロ接合 ,  電場効果 ,  *電圧 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  金属電極 ,  *低電圧駆動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2D材料 ,  ペロブスカイト ,  フォトトランジスタ ,  van der Waalsエピタクシー

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2D ,  結晶 ,  VAN ,  ヘテロ接合 ,  低電圧駆動 ,  フォトトランジスタ