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J-GLOBAL ID：201802263085903028   整理番号：18A0941947

1700nmまで広帯域応答するMOS_2/CdTe p-nヘテロ接合に基づく室温近赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

A room-temperature near-infrared photodetector based on a MoS₂/CdTe p-n heterojunction with a broadband response up to 1700 nm

著者 (10件)： Wang Yuange (School of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Huang Xiaowen ,  Wu Di ,  Zhuo Ranran ,  Wu Enping ,  Jia Cheng ,  Shi Zhifeng ,  Xu Tingting ,  Tian Yongtao ,  Li Xinjian
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 18  ページ： 4861-4865  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能赤外光検出器(PD)は軍事および産業応用におけるそれらの大きな重要性のために多くの注目を集めている。二次元(2D)材料の改良は,複雑な調製プロセス,低温動作条件および小型化できないような,従来のエピタキシャル薄膜ベースのPDの欠点を克服できる,種々の高性能PDを設計するためのオープンプラットフォームを提供する。本研究では,タイプIIバンド配列を有するMoS_2/CdTe p-nヘテロ接合に基づく高性能赤外PDを構築し,研究した。このPDは200nmから1700nmまでの広帯域光応答を示し,これはMoS_2とCdTeのバンドギャップをはるかに超えている。さらに,高い応答性,特異的検出性および高速応答速度を達成した。これらの結果は,MoS_2/CdTe p-nヘテロ接合が室温赤外検出において大きな可能性を有し,他の2D材料のための高性能赤外PDを設計する方法を提供することを実証した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *広帯域 ,  *テルル化カドミウム ,  *ヘテロ接合 ,  *光検出器 ,  薄膜 ,  二次元 ,  エピタクシー ,  *近赤外線 ,  小型化 ,  応答特性 ,  バンドギャップ ,  *赤外線 ,  低温
準シソーラス用語： 高速応答 ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 広帯域 ,  応答 ,  CdTe ,  P-Nヘテロ接合 ,  室温 ,  近赤外光 ,  検出器