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J-GLOBAL ID:201802263370807066   整理番号:18A0927941

色素増感太陽電池における高効率三ヨウ化物還元のためのセレン添加グラフェンの欠陥密度と欠陥密度【JST・京大機械翻訳】

Scrutinizing Defects and Defect Density of Selenium-Doped Graphene for High-Efficiency Triiodide Reduction in Dye-Sensitized Solar Cells
著者 (12件):
資料名:
巻: 57  号: 17  ページ: 4682-4686  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0127B  ISSN: 1433-7851  CODEN: ACIEAY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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色素増感太陽電池(DSSC)の三ヨウ化物(I_3-)還元反応における活性に及ぼす電極触媒の欠陥/欠陥密度の影響を理解することは,高効率対電極(CE)の設計と構築に不可欠である。活性部位に富むセレンをドープしたグラフェン(SEG)をボールミル処理し,続いて高温アニーリングを行い,豊富なエッジサイトと完全に活性化した基底面を得た。SEG内の欠陥密度はアニーリング温度を調整することにより調整できる。900°Cのアニーリング温度で合成した試料は,8.42%の高い変換効率で,I_3-還元に対して優れた応答を示し,Pt参照(7.88%)を上回った。改善された安定性も観察された。DFT計算は,純粋なグラフェン上でのSEGの高い触媒活性がSe種の取り込みによるイオン化エネルギーの減少の結果であり,電極-電解質界面での電子移動を促進することを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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