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J-GLOBAL ID：201802263576667220   整理番号：18A2225757

モリブデンと非晶質シリコン酸化スズ薄膜トランジスタの間の接触特性の研究【JST・京大機械翻訳】

A study of contact properties between molybdenum and amorphous silicon tin oxide thin film transistors

著者 (10件)： Ning Honglong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Liu Xianzhe (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Xu Hua (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Lu Kuankuan (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Zhang Hongke (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Zhang Xiaochen (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Yao Rihui (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Fang Zhiqiang (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Wang Xiaofeng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing, 100083, China) ,  Peng Junbiao (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China)
資料名： Journal of the Society for Information Display  (Journal of the Society for Information Display)
巻： 26  号： 12  ページ： 681-686  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0996B  ISSN： 1071-0922  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコン酸化スズ(a-STO)半導体は薄膜トランジスタの作製に関心が高まっている。異なる熱アニーリング過程を受けたa-STO膜に対するMoソース/ドレイン電極の接触特性を調べた。空気雰囲気中でアニールしたMoとa-STO膜の間の酸化モリブデン中間層の形成を断面透過型電子顕微鏡画像により確認し,中間層を空気アニーリング過程においてa-STO膜から酸素を得ることにより形成した。酸化モリブデン中間層の形成は,接着層だけでなく中間障壁層を提供し,Mo原子がa-STO膜に拡散し,良好な接触界面を形成し,Mo電極からa-STO膜への電子注入を容易にする。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 画像 ,  *薄膜トランジスタ ,  焼なまし ,  酸素 ,  *モリブデン ,  *酸化スズ ,  *アモルファスシリコン ,  Ohm接触 ,  半導体 ,  酸化モリブデン
準シソーラス用語： 電子注入 ,  バリア層 ,  中間層 ,  熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非晶質シリコン酸化スズ ,  Moソース/ドレイン電極 ,  酸化モリブデン中間層 ,  Ohm接触 ,  仕事関数

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： モリブデン ,  非晶質シリコン ,  酸化スズ ,  薄膜トランジスタ ,  研究