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J-GLOBAL ID：201802263892665311   整理番号：18A0845127

原子層堆積により作製した高性能非晶質インジウムガリウム亜鉛オキシド薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by Atomic Layer Deposition

著者 (7件)： Cho Min Hoe (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Seol Hyunju (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Yang Hoichang (Department of Applied Organic Materials Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Yun Pil Sang (R&D Center, LG Display Co. Ltd., Paju, South Korea) ,  Bae Jong Uk (R&D Center, LG Display Co. Ltd., Paju, South Korea) ,  Park Kwon-Shik (R&D Center, LG Display Co. Ltd., Paju, South Korea) ,  Jeong Jae Kyeong (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 5  ページ： 688-691  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板温度250°Cでの原子層堆積による高性能非晶質インジウムガリウム亜鉛オキシド(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の作製について報告した。In_2O_3,Ga_2O_3,およびZnOの膜厚は,蒸着サイクルの数とともに直線的に変化した。IGZO膜のカチオン組成は,In_2O_3,Ga_2O_3,およびZnO原子層の交互積層によって制御された。作製したa-IGZO TFTは,22.1cm~2/Vsの高い電子移動度,2.41Vのしきい値電圧,0.30V/10年のサブ閾値ゲートスイング,および>1×10~8のI_ON/OFF比を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インタリーブ ,  酸化亜鉛 ,  *酸化物 ,  蒸着 ,  *非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  カチオン ,  膜厚 ,  基板温度
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  電子移動度 ,  *原子層 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 原子層堆積 ,  作製 ,  高性能 ,  非晶質 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  オキシド ,  薄膜トランジスタ