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J-GLOBAL ID：201802263895949554   整理番号：18A1028962

部分遮光によるモノリシック薄膜太陽電池モジュールの損傷【JST・京大機械翻訳】

Damage in monolithic thin-film photovoltaic modules due to partial shade

著者 (4件)： Silverman Timothy J (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Mansfield Lorelle (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Repins Ingrid (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Kurtz Sarah (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック薄膜光起電力モジュールの典型的な構成は,逆バイアスにおいてそのようなモジュールにおいて1個以上のセルを部分的に遮蔽することを可能にする。逆バイアス動作は高電圧,電流密度および電力密度条件をもたらし,それは故障の駆動力として作用することができる。著者らは,短い屋外影イベントが電力において7%の永久損失を引き起こすことができることを示した。著者らは,より現実的なマスクとバイアス条件を用いて,そして,応力による性能の永続的変化を注意深く定量化することによって,標準的なホットスポット耐久性試験を超えて移動する屋内の部分的陰影耐久性試験を適用した。最大電力の変化に基づくパス基準の追加により,この手順はモジュール型資格試験の一部として直ちに提案される。全ての6つの商用CIGSとCdTeモジュールは,最大電力の4%から14%の損失の範囲で,室内部分的陰影試験により永続的な損傷を経験した。著者らは,セル,モジュールおよびシステムレベルにおける部分的なシェード応力を緩和する方法を要約することによって結論した。本研究は米国エネルギー省により支援された。国家再生エネルギー研究所によるDE-AC36-08GO28308。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  ホットスポット ,  バイアス ,  再生エネルギー ,  光起電力 ,  テルル化カドミウム ,  日よけ ,  *薄膜 ,  *遮光 ,  電力 ,  *太陽電池 ,  耐久試験
準シソーラス用語： ピーク電力 ,  陰影 ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽光発電  (NB03090G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遮光 ,  薄膜太陽電池 ,  モジュール ,  損傷