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J-GLOBAL ID：201802263984641734   整理番号：18A0962864

KPFM法を用いたCdS/CZTSe太陽電池の結晶粒界における高光起電力の直接測定【JST・京大機械翻訳】

A direct measurement of higher photovoltage at grain boundaries in CdS/ CZTSe solar cells using KPFM technique

著者 (7件)： Vishwakarma Manoj (Thin Film Lab, Department of Physics, IIT Delhi, New Delhi 110016, Delhi, India) ,  Varandani Deepak (Thin Film Lab, Department of Physics, IIT Delhi, New Delhi 110016, Delhi, India) ,  Andres Christian (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Romanyuk Yaroslav E. (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Haass Stefan G. (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Tiwari Ayodhya N. (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Mehta Bodh R. (Thin Film Lab, Department of Physics, IIT Delhi, New Delhi 110016, Delhi, India)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 183  ページ： 34-40  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面及び接合モードにおけるKelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)測定を用いて,完全Mo/CZTSSe/CdS/ZnO/Al:ZnO太陽電池素子における光起電力の直接マッピングを行った。開回路電圧(V_OC)の異なる値を持つ4つのセルを研究し,2つのモードにおける表面ポテンシャル(SP)画像の差から,光起電力のナノスケール変化を得た。マップは一般的に結晶粒界でより高い光起電力を示した。元のCZTSe層の観測されたSP像は,キャリア再結合の減少をもたらす下向きバンド曲がりを明らかにし,したがって,結晶粒界(GB)でのJ_darkが低くなる。CZTSe層におけるGBにおける低いJ_暗をもたらす観測された下向きバンド曲がりを用いて,GBにおける光起電力(V_OC)の増加を説明した。CZTSeとCZTSe/CdS層のKPFM測定は,CZTSe層の表面電位とその変化が,表面吸着と汚染効果に加えて,CdS堆積と更なるデバイス処理により影響されることを示した。干渉効果のない最終素子に関するKelvinプローブ力顕微鏡測定から得られた光起電力マッピングは,この方法の重要な利点である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  接合 ,  *結晶粒界 ,  表面電位 ,  キャリア再結合 ,  第二相 ,  *硫化カドミウム ,  画像 ,  *光起電力
準シソーラス用語： 干渉効果 ,  表面吸着 ,  バンド曲がり ,  ナノスケール ,  開回路電圧 ,  直接測定 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (10件)： Cu_2Sn(sse)_4 ,  太陽電池 ,  表面電位 ,  光起電力 ,  帯域曲げ ,  開回路電圧 ,  ケステライト相 ,  二次相 ,  欠陥 ,  結晶粒界と結晶粒界

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： KPFM ,  CdS ,  太陽電池 ,  結晶粒界 ,  光起電力 ,  直接測定