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J-GLOBAL ID：201802264074122892   整理番号：18A0195290

伝送線解析を用いた受動的脳移植可能な医療装置のための比吸収率と温度上昇【Powered by NICT】

Specific absorption rate and temperature increase for a passive brain implantable medical device using transmission line analysis

著者 (2件)： Manoufali Mohamed (School of ITEE, The University of Queensland, Brisbane, QLD 4067, Australia) ,  Abbosh Amin (School of ITEE, The University of Queensland, Brisbane, QLD 4067, Australia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APMC  ページ： 570-572  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 植込み型医療機器(IMD)に電力移動は最近電池支援移植可能デバイスを避けるために顕著な注目を集めている。外部パワーは近接場誘導/容量結合,フィールド中央電磁(EM)結合またはまでファイルEM結合による無バッテリー型IMDに提供される。電磁曝露により生じた潜在的健康悪影響は安全性を確保するために考慮しなければならない。平面波電場が損失性伝送線路における電圧に相当するという事実のために,回路シミュレーションは生物学的組織におけるEM場の吸収を表すのに使用できる。本論文では,比吸収率(SAR)と医療機器無線通信(MICS)バンド(402 MHz)で回路シミュレーションを用いた電磁界曝露による温度上昇を計算した。損失性伝送線路パラメータは402MHzで4~次Cole-Coleモデルから得た。回路シミュレーションから得られた結果は全波シミュレーションと比較して,皮膚層と電磁界曝露による温度上昇ではごくわずかな差でSARにおける31%の最大差を得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電磁場 ,  電場 ,  平面波 ,  無線伝送 ,  二次電池 ,  *昇温 ,  シミュレーション ,  安全性 ,  *伝送線路 ,  近接場 ,  生体組織 ,  回路シミュレーション ,  電力 ,  *医療機器
準シソーラス用語： *比吸収率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 人間に対する影響  (EK02070V) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 伝送線 ,  解析 ,  脳移植 ,  医療装置 ,  比吸収率 ,  温度上昇