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J-GLOBAL ID：201802264123111149   整理番号：18A0381906

誘電体Si_3N_4ナノ構造を用いた広帯域反射防止膜非晶質Si:H太陽電池への応用【Powered by NICT】

Broadband anti-reflection coating using dielectric Si₃N₄ nanostructures. Application to amorphous-Si-H solar cells

著者 (5件)： Elshorbagy M.H. (Applied Optics Complutense Group, University Complutense of Madrid, Faculty of Optics and Optometry, Av. Arcos de Jalon, 118, 28037 Madrid, Spain) ,  Elshorbagy M.H. (Physics Department, Faculty of Science, Minia University, El-Minya, Egypt) ,  Abdel-Hady Kamal (Physics Department, Faculty of Science, Minia University, El-Minya, Egypt) ,  Kamal Hala (Applied Optics Complutense Group, University Complutense of Madrid, Faculty of Optics and Optometry, Av. Arcos de Jalon, 118, 28037 Madrid, Spain) ,  Alda Javier (Applied Optics Complutense Group, University Complutense of Madrid, Faculty of Optics and Optometry, Av. Arcos de Jalon, 118, 28037 Madrid, Spain)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 390  ページ： 130-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質水素化(aSi H)太陽電池の吸収は,反射防止膜のような働くSi_3N_4製の誘電体ナノ構造を用いることにより強化される。解析が,太陽放射照度での細胞により送達された短絡電流に焦点を当て,aSi:Hセルの各層と構造を考慮して行った。ナノ構造誘電体層の形の反射防止被覆のカスタマイズされた設計は,参照平坦な太陽電池,および細胞の低反射率と15.2%の短絡電流を増大させる。線形ナノ構造の三つの異なる形状を解析し,比較してそれらの間の非常に類似した結果を得た。性能の改善も前面接触の電気伝導率を維持しながら,作製可能であることを実現可能な幾何学的寸法を得た。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  *太陽電池 ,  カスタム化 ,  *アモルファスシリコン ,  *非晶質 ,  反射率 ,  短絡電流 ,  水素化 ,  線形性 ,  *広帯域 ,  *反射防止膜 ,  *ナノ構造 ,  *誘電体
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  面接触 ,  太陽放射照度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 共鳴構造 ,  反射防止コーティング ,  光トラッピング ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘電体 ,  広帯域 ,  反射防止膜 ,  非晶質Si ,  太陽電池 ,  応用