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J-GLOBAL ID：201802264149269002   整理番号：18A1035172

Irスペーサとの垂直磁化合成反強磁性結合における巨大磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Giant magnetoresistance in perpendicularly magnetized synthetic antiferromagnetic coupling with Ir spacer

著者 (6件)： Fukushima A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Taniguchi T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Sugihara A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yakushiji K. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Kubota H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yuasa S. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 5  ページ： 055925-055925-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直磁化磁気トンネル接合(p-MTJ)は,高密度スピン移動トルクスイッチング磁気抵抗ランダムアクセスメモリを開発するための重要な要素である。最近,Ir中間層を有する合成反強磁性参照層における大きな交換結合(IEC)がp-MTJにおいて観察された。しかし,IECの評価は,MTJの静電破壊により困難である。本研究は巨大磁気抵抗(GMR)ナノピラーにおけるIr中間層を有するIECの評価を実証した。3種類の垂直磁化GMR素子を作製した。CuまたはIrスペーサを有する底部自由構造およびIrスペーサを有するトップフリー構造。全ての試料の磁気抵抗(RH)ループは±10kOe以上の磁場で磁気抵抗の急激な変化を示し,大きなIECの存在を示した。特に,±20kOe以上の磁場での磁気抵抗の急激な変化が,2nmの厚さのCuをもつ元素に対して見出された。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  磁場 ,  *磁気抵抗 ,  銅 ,  *イリジウム ,  *磁気 ,  *垂直磁化 ,  *反強磁性 ,  *スペーサ
準シソーラス用語： ナノピラー ,  交換結合 ,  中間層 ,  スピントルク ,  磁気トンネル接合 ,  *巨大磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ir ,  スペーサ ,  垂直磁化 ,  反強磁性結合 ,  巨大磁気抵抗