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J-GLOBAL ID：201802264250851387   整理番号：18A0269248

二次元遷移金属二カルコゲン化物とその応用の最近の進歩【Powered by NICT】

Recent development of two-dimensional transition metal dichalcogenides and their applications

著者 (8件)： Choi Wonbong (Department of Materials Science and Engineering, Mechanical and Energy Engineering, University of North Texas, Denton, TX 76207, United States) ,  Choudhary Nitin (Department of Materials Science and Engineering, Mechanical and Energy Engineering, University of North Texas, Denton, TX 76207, United States) ,  Han Gang Hee (Center for Integrated Nanostructure Physics, Institute for Basic Science (IBS), Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Han Gang Hee (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Park Juhong (Department of Materials Science and Engineering, Mechanical and Energy Engineering, University of North Texas, Denton, TX 76207, United States) ,  Akinwande Deji (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, United States) ,  Lee Young Hee (Center for Integrated Nanostructure Physics, Institute for Basic Science (IBS), Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Lee Young Hee (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Materials Today  (Materials Today)
巻： 20  号： 3  ページ： 116-130  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3472A  ISSN： 1369-7021  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に薄い二次元遷移金属二カルコゲン化物(2D TMDs)の最近の進歩は,ナノエレクトロニクス,フォトニクス,センシング,エネルギー貯蔵,およびオプトエレクトロニクスのための有望な技術の変化をもたらす,2~3例を挙げるしなければならない。本論文では,グラフェンを越えた2D材料における最近の進歩をレビューし,主に遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)(例えばMoS_2,WS_2,MoSe_2,WSe_2)を含んでいる。これらの材料は,極限原子厚さに依存する次世代エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスデバイスのためのニッチ用途を見出している。所望の基板上にスケーラブルかつ無欠陥TMDの開発におけるいくつかの挑戦にもかかわらず,伝統的および非伝統的基板と両立する新しい成長法は,実用的な応用のための高品質と可制御性の常に増加する需要量に対処するために開発された。外来機能と基本的に新しい化学を示す新しい2D TMDの作製に焦点を当てた。そして最後に,エレクトロニクスと並行して,エネルギーとセンシング応用のためのこれらの材料を使用したかなりの努力を詳細に検討した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *二次元 ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  グラフェン ,  エネルギー貯蔵 ,  可制御性
準シソーラス用語： 高品質 ,  ニッチ ,  光電子デバイス ,  フォトニクス ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  励起子  (BM02120E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  応用