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J-GLOBAL ID：201802264612202517   整理番号：18A1260035

待ち時間マスキングを用いた不揮発性メモリにおける高速書き込み演算【JST・京大機械翻訳】

Fast write operations in non-volatile memories using latency masking

著者 (3件)： Hoseinghorban Ali (Department of Computer Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Bazzaz Mostafa (Department of Computer Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Ejlali Alireza (Department of Computer Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： RTEST  ページ： 1-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギー消費は,埋め込まれたシステムを設計する上で重要な問題であり,新しいインターネットのインターネット(IoT)である。これらのシステムにおけるSRAMの代わりに不揮発性メモリの使用は,不揮発性メモリがはるかに少ない漏れ電力を消費し,SRAMと同じダイ面積を与えるより良い容量を提供するので,それらのエネルギー消費を改善する。しかしながら,不揮発性メモリの書込み動作待ち時間がSRAMのそれより多いので,これは著しい性能オーバーヘッドを課すことができる。本論文では,わずかなエネルギー消費オーバヘッドのコストでシステムの性能を改善する組込みシステムのためのNVMベースのデータメモリアーキテクチャを提示した。このアーキテクチャは,書込み操作を並列化するためにマルチバンキング技術を採用し,いくつかの書込み操作の待ち時間をマスクし,メモリサブシステムの平均書込み待ち時間を低減する書込みバッファを追加する。単一バンクNVMを使用するシステムと比較して,提案したアーキテクチャは,エネルギー消費の9%の増加のコストで38%の性能を改善することができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *演算 ,  インターネット ,  *不揮発性メモリ ,  *マスキング ,  *高速度 ,  組込みシステム ,  計算機アーキテクチャ ,  *待ち時間 ,  エネルギー消費 ,  SRAM
準シソーラス用語： オーバヘッド ,  漏れ電力 ,  モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 待ち時間 ,  マスキング ,  不揮発性メモリ ,  書き込み