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J-GLOBAL ID：201802264917694786   整理番号：18A1131561

アンチヒューズワームメモリの簡単な作製法【JST・京大機械翻訳】

A simple method for fabrication of antifuse WORM memories

著者 (6件)： Avila-Nino J.A. (Advanced Materials Department, IPICYT, Camino a la Presa San Jose 2055, Col. Lomas 4a seccion, San Luis Potosi 78216, Mexico) ,  Avila-Nino J.A. (Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, San Luis Potosi 78000, Mexico) ,  Avila-Nino J.A. (CONACYT - Centro de Investigacion y Desarrollo en Electroquimica, Parque Tecnologico Queretaro s/n Sanfandila, Pedro Escobedo, Queretaro 76703, Mexico) ,  Reyes-Reyes M. (Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, San Luis Potosi 78000, Mexico) ,  Nunez-Olvera O. (Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, San Luis Potosi 78000, Mexico) ,  Lopez-Sandoval R. (Advanced Materials Department, IPICYT, Camino a la Presa San Jose 2055, Col. Lomas 4a seccion, San Luis Potosi 78216, Mexico)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 454  ページ： 256-261  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販の紫外線-オゾン(UVO)ランプを用いて,Al/AlO_x-UVO/Al構成のアルミニウム底電極を照射することにより,書込み-読取-多く(WORM)メモリ素子を得た。正または負のバイアス電圧を素子に印加したとき,Joule加熱による導電性経路の形成が観測され,高い(OFF)から低い(ON)抵抗状態への永久転移が起こる。オフからONへの遷移の後,物理的変形がデバイスの上部で観察され,それは上部電極の形態学的研究を用いて分析された。これらの物理的変形を除去するために,アルミニウム底部電極上のUVO処理を,薄いポリビニルアルコール(PVA)膜(10nm)の堆積によって置き換えた。これらのAl/AlO_x-ネイティブ/PVA/Al WORMメモリは,類似のI-V挙動と,それらのAl/AlO_x-UVO/Alデバイスに対する同じ閾値電圧を示したが,より高いオン/オフ比を有した。I-V曲線の解析は,フィラメント経路の形成のような同じ物理現象が両タイプのデバイスに対して起こることを確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フィラメント ,  記憶素子 ,  導電性 ,  *記憶装置 ,  モルフォロジー ,  抵抗加熱 ,  オゾン ,  紫外線 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  バイアス電圧 ,  WORM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化アルミニウム ,  UV-オゾン処理 ,  ウオームメモリ ,  ポリビニルアルコール層

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (1件)： 作製法