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J-GLOBAL ID：201802264967795163   整理番号：18A0758397

単層グラフェンに基づく機械的テラヘルツ変調【JST・京大機械翻訳】

Mechanical Terahertz Modulation Based on Single-Layered Graphene

著者 (23件)： Cheng Long (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Cheng Long (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Jin Zuanming (Department of Physics, Shanghai University, Shanghai, 200444, P. R. China) ,  Ma Zongwei (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Ma Zongwei (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Su Fuhai (Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Zhao Yang (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Zhao Yang (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Zhang Yongzhuan (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Zhang Yongzhuan (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Su Tongyu (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Su Tongyu (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Sun Yan (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Sun Yan (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Xu Xueli (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Xu Xueli (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Meng Zhi (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Meng Zhi (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Bian Yuecheng (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Bian Yuecheng (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Sheng Zhigao (Anhui Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Sheng Zhigao (Science Island Branch of Graduate School University of Science and Technology of China, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Sheng Zhigao (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 6  号： 7  ページ： e1700877  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールにおけるこのような多用途バンドの効率的な操作を可能にする2Dテラヘルツ(THz)変調器はTHzマイクロデバイスとシステムにとって重要であるが,その実装は困難であり,実際には困難なままである。ここでは,機械的歪下の単層グラフェンに基づく新しい2D THz変調器を実証した。二方向性,すなわち,正と負の両方のTHz変調効果は,グラフェン上に従来分布していない歪を利用することによって実現される。このような機械的変調は安定で可逆的であり,その変調深さは10~2GPa歪下で1THzで26%を超えることが分かった。歪と周波数依存変調挙動の両方の観察は,グラフェンにおけるDirac様エネルギー分散の機械的歪誘起変化を示し,これは電気的および光学的アプローチのそれとは異なる。機械的力の信頼性と広い適用性のために,これらの結果は2D材料に基づくチップスケールTHz変調デバイスの代替ルートを提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テラヘルツ波 ,  二次元 ,  変調器 ,  エネルギー散逸 ,  信頼性 ,  周波数依存性 ,  *グラフェン ,  適応性
準シソーラス用語： 変調指数 ,  マイクロデバイス ,  ナノスケール ,  *単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Fermi速度 ,  グラフェン ,  機械的歪 ,  変調器 ,  テラヘルツ素子

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層グラフェン ,  テラヘルツ ,  変調