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J-GLOBAL ID：201802265107547208   整理番号：18A0134411

原子層堆積により堆積した非晶質亜鉛スズ酸化物薄膜のバンド構造【Powered by NICT】

Band structure of amorphous zinc tin oxide thin films deposited by atomic layer deposition

著者 (5件)： Lee Sunyoung (Department of Chemical Engineering, Konkuk University, 120 Neungdong-Ro, Gwangjin-Gu, Seoul 05029, Republic of Korea) ,  Kim Sungjoon (Department of Chemical Engineering, Konkuk University, 120 Neungdong-Ro, Gwangjin-Gu, Seoul 05029, Republic of Korea) ,  Shin Seokhee (Department of Chemical Engineering, Konkuk University, 120 Neungdong-Ro, Gwangjin-Gu, Seoul 05029, Republic of Korea) ,  Jin Zhenyu (Department of Chemical Engineering, Konkuk University, 120 Neungdong-Ro, Gwangjin-Gu, Seoul 05029, Republic of Korea) ,  Min Yo-Sep (Department of Chemical Engineering, Konkuk University, 120 Neungdong-Ro, Gwangjin-Gu, Seoul 05029, Republic of Korea)
資料名： Journal of Industrial and Engineering Chemistry  (Journal of Industrial and Engineering Chemistry)
巻： 58  ページ： 328-333  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3170A  ISSN： 1226-086X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,酸化亜鉛スズ(ZTO)は光起電力電池のためのCdSに取って代りに替わるバッファ層として注目されている。ZTO薄膜はジエチル亜鉛, テトラキス(ジメチルアミド)スズからの原子層堆積,と水により成長させた。組成,構造および光学的性質を特性化Sn含有量に依存してZTO膜のバンド図を構築した。ZTO膜はCdSのそれよりも広い2.95 3 0.07eVの光学バンドギャップを示した。さらに,それらの仕事関数も4.32 5 0.16eVの広い範囲で変化することを観察した。酸素空格子点の形成に強く影響するZTOへのSnの混入に起因する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *非晶質 ,  バッファ層 ,  光学的性質 ,  *亜鉛 ,  光電池 ,  *スズ ,  光学ギャップ ,  仕事関数 ,  硫化カドミウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  酸化亜鉛スズ ,  *酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 亜鉛すず酸化物 ,  バンド構造 ,  原子層堆積 ,  仕事関数 ,  バッファ層

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ジエチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  堆積 ,  非晶質 ,  亜鉛 ,  スズ ,  酸化物薄膜 ,  バンド構造