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J-GLOBAL ID：201802265128062497   整理番号：18A1675851

プラズマ媒質中のグラフェン-カーボンナノチューブ(CNT)ハイブリッドのその場窒素(N)ドーピングのモデリングとその電界放出特性【JST・京大機械翻訳】

Modeling of the in-situ nitrogen (N) doping of graphene-carbon nanotube (CNT) hybrids in a plasma medium and their field emission properties

著者 (3件)： Tewari Aarti (Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Srivastava Pankaj (Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Ghosh Santanu (Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
資料名： Physics of Plasmas  (Physics of Plasmas)
巻： 25  号： 8  ページ： 083520-083520-13  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0641B  ISSN： 1070-664X  CODEN： PHPAEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-カーボンナノチューブ(CNT)ハイブリッドのプラズマ支援成長に及ぼすその場窒素ドーピング(N-ドーピング)の影響を調べるための数値形式を確立した。その定式化は,触媒粒子上のエネルギー収支と,Nドーピングを支援する水素,炭化水素,およびアンモニアからの寄与を伴うプラズマ種の速度論,その場NドープCNT,グラフェン,およびグラフェン-CNTハイブリッドの成長のために含まれる。NドープCNT,グラフェンおよびグラフェン-CNTハイブリッドの成長速度方程式もモデルの一部として設定した。Nドーピングにより,水素イオン種密度は最初に増加し,次に低下し,プラズマ中の高次炭化水素の成長を促進した。電子密度は,電子媒介イオン化と解離過程が成長前駆体の利用可能性に最終的に影響するように,Nドーピングと共に増加した。Nドーピングによるプラズマ種密度の変化の累積効果は,高アスペクト比のナノ構造の成長をもたらす。本研究では,グラフェン-CNTハイブリッドの場増強因子(β)をz軸に沿ったy軸に沿った寸法の比として近似した。グラフェン-CNTハイブリッドのβは非ドープおよびNドープCNTおよびグラフェンのそれよりも大きいことが分かった。さらに,N-ドーピングは,グラフェン-CNTハイブリッドのβをさらに強化した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モデリング ,  *電界放出 ,  電子密度 ,  前駆体 ,  *グラフェン ,  *ドーピング ,  速度論 ,  イオン化 ,  アンモニア ,  定式化 ,  *プラズマ ,  陽子 ,  *媒質 ,  炭化水素 ,  水素

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  媒質 ,  グラフェン ,  カーボンナノチューブ ,  CNT ,  窒素 ,  ドーピング ,  モデリング ,  電界放出