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J-GLOBAL ID：201802265272263613   整理番号：18A0634358

2段階熱処理による結晶Ge/Au/SiO₂積層構造の低温形成

著者 (6件)： 清水昇 (熊本高専) ,  森貴礼 (熊本高専) ,  岡本健人 (熊本高専) ,  坂井拓也 (熊本高専) ,  高倉健一郎 (熊本高専) ,  角田功 (熊本高専)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20p-F214-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *工程 ,  *熱処理 ,  *多段熱処理 ,  *積層構造 ,  *低温生成 ,  *結晶成長 ,  *結晶構造 ,  *結晶構造解析 ,  Raman分光法 ,  *ゲルマニウム ,  *金 ,  *二酸化ケイ素 ,  固相成長 ,  *太陽電池 ,  *コンピュータ ,  優先配向 ,  結晶化 ,  真空蒸着 ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： *二段階プロセス ,  *低温形成 ,  Ge ,  Au ,  真空蒸着法 ,  スパッタリング蒸着法

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  加熱  (PA03040C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 段階 ,  熱処理 ,  結晶 ,  Ge ,  Au ,  SiO2 ,  積層構造 ,  低温形成