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J-GLOBAL ID：201802265334810967   整理番号：18A0969110

有限層MOS_2における面外電子輸送【JST・京大機械翻訳】

Out-of-plane electron transport in finite layer MoS₂

著者 (4件)： Holzapfel R. (Department of Physics, University of Northern Iowa, 215 Begeman Hall, Cedar Falls, Iowa 50614-0150, USA) ,  Weber J. (Department of Physics, University of Northern Iowa, 215 Begeman Hall, Cedar Falls, Iowa 50614-0150, USA) ,  Lukashev P. V. (Department of Physics, University of Northern Iowa, 215 Begeman Hall, Cedar Falls, Iowa 50614-0150, USA) ,  Stollenwerk A. J. (Department of Physics, University of Northern Iowa, 215 Begeman Hall, Cedar Falls, Iowa 50614-0150, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 17  ページ： 174303-174303-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弾道電子放出顕微鏡(BEEM)を用いて,Au/Si(001)Schottkyダイオードの表面上に堆積した有限層MoS_2フレークの[0001]方向に沿った電子輸送に影響する過程を研究した。MoS_2フレークからの微分スペクトルに存在する顕著な特徴は,密度汎関数理論を用いて計算した有限層MoS_2の状態密度と一致した。MoS_2の電子構造を観察する能力は,このエネルギー範囲におけるSiの相対的に滑らかな状態密度とMoS_2/Au/Si(001)経路に沿ったかなりの量の弾性または準弾性散乱に起因すると思われる。BEEMを用いたこれらの測定の実証は,この技術がvan der Waalsヘテロ構造による電子輸送の研究に利用でき,多くの電子デバイスに応用できることを示唆する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微分スペクトル ,  ケイ素 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *状態密度 ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  フレーク ,  準弾性散乱 ,  弾性
準シソーラス用語： 電子素子 ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電子輸送