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J-GLOBAL ID：201802265560506663   整理番号：18A1598005

0.13μm SiGe Bi-CMOS技術を用いた集積三次ミリ波オンチップ帯域フィルタ【JST・京大機械翻訳】

Integrated Third-Order Millimeter-Wave On-Chip Bandpass Filter using 0.13-μm SiGe Bi-CMOS Technology

著者 (4件)： Yang Yang (School of Electrical and Data Engineering, University of Technology Sydney, Ultimo, NSW, 2007, Australia) ,  Zhu He (School of Electrical and Data Engineering, University of Technology Sydney, Ultimo, NSW, 2007, Australia) ,  Zhu Xi (School of Electrical and Data Engineering, University of Technology Sydney, Ultimo, NSW, 2007, Australia) ,  Xue Quan (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMS  ページ： 1095-1098  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波(ミリ波)応用のためのオンチップ三次帯域通過フィルタ(BPF)を紹介した。提案したBPFは,aT形状ネットワークを通して3つのMIMキャパシタにより共同接続された3つの同一の広帯域結合蛇行線共振器(BCMLR)から構成されている。MIMコンデンサは,所望の多重伝送極と通過帯域阻止帯域を横切る零点を達成するために,三次BPFの実装のためのJインバータとして使用される。提案した高次構造の動作機構を完全に理解するために,共振器と提案したBPFを,金属インダクタンスとMIM容量の観点から,伝送極と零点の分布の更なる研究のために,LC等価回路モデルを用いて解析した。この概念を証明するために,提案したBPFプロトタイプを,市販の0.13-l.lm SiGe(Bi)-CMOSプロセスで実装した。オンウエハ測定から得られた結果によると,3つの伝送極と3つの伝送ゼロが明確に観測された。注目すべきことに,提案したBPFは,中心周波数35.5GHzで3.1dBの測定挿入損失と59GHzで35dBまでの阻止帯域減衰で,26.7GHzから44.3GHzまでの平坦な帯域内応答(1dB以下の減衰)を含む優れた性能を示した。チップサイズは,GSGパッドを除いて,0.016mm2(0.066の0.236mm-)であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 広帯域 ,  共振器 ,  プロトタイプ ,  インダクタンス ,  *周波数帯 ,  *CMOS ,  零点 ,  ネットワーク ,  *帯域フィルタ ,  *EHF波 ,  挿入損 ,  パッド
準シソーラス用語： 阻止帯域 ,  通過帯域 ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  Bi-CMOS ,  集積 ,  ミリ波 ,  オンチップ ,  帯域フィルタ