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J-GLOBAL ID：201802265576108402   整理番号：18A0138436

SiCパワーモジュールパッケージを解析するための熱過渡試験でのSiC-MOSFETのボディダイオードにおけるゲート電圧に依存した順方向電圧変化の影響【Powered by NICT】

Effect of forward voltage change depending on gate voltage in body diode of SiC-MOSFET at thermal transient testing for analysing SiC power module package

著者 (10件)： Kato Fumiki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Tanisawa Hidekazu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Koui Kenichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Sato Shinji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Aoki Toru (Calsonic Kansei Corporation, Japan) ,  Murakami Yoshinori (NISSAN MOTOR CO., LTD., Japan) ,  Nakagawa Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Hirosh (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Yamaguchi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Sato Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： THERMINIC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiC-MOSFETのボディダイオードを用いた温度測定はゲートとソース間のバイアス電圧によって大きく影響される,Si-MOSFETのボディダイオードを用いたとは異なり,ことが分かった。G-S間の適切な負バイアスを印加することにより正確に接合温度を測定することが可能である方法を導入した。SiCパワーモジュールの熱抵抗評価法を示した。この技術は,SiCパワーモジュールの正確な熱設計への適用が期待されている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  熱設計 ,  熱抵抗 ,  温度測定 ,  *電圧変動 ,  *炭化ケイ素 ,  バイアス
準シソーラス用語： 評価法 ,  *パワーモジュール ,  接合温度 ,  バイアス電圧 ,  *ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： SiC ,  パワーモジュール ,  パッケージ ,  解析 ,  試験 ,  MOSFET ,  ボディダイオード ,  ゲート電圧 ,  順 ,  電圧変化