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J-GLOBAL ID:201802265705699305   整理番号:18A1024035

ブリッジマン法により調製した共晶Si-Y合金におけるSiとYSi_2相の競合成長【JST・京大機械翻訳】

Competitive growth of Si and YSi2 phases in a eutectic Si-Y alloy prepared by the Bridgeman method
著者 (8件):
資料名:
巻: 44  号: 11  ページ: 13232-13239  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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一方向凝固Si-YSi_2合金を,異なる離脱速度でBridgman法によって調製した。縦断面と断面の微細構造を調べた。離脱速度が0.5mm/minから2mm/minに増加すると,YSi_2相の形態は微細で長いストリップから島状に変化し,最後に厚い一次Si相に沿って分布したブロックに変化することを観察した。各相の界面成長温度を計算することにより,Si相とYSi_2相の界面成長温度は両方とも減少し,一方,共晶構造のそれはほとんど変化しないことを見出した。Si相の界面成長温度はYSi_2相のそれより常に高かった。著者らは,V_C1=0.96mm/minおよびV_C2=1.57mm/minの2つの臨界離脱率を測定した。離脱速度がV_C1より遅く,一次Si相が消失したとき,結合成長が支配的であった。一次Si相は,離脱率がV_C1より大きく,離脱率がV_C2より大きいとき,明らかにより厚くなるので,形成し始めた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 

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